テキサス州オースティンにある1980年代の半導体ファブが再開発され、3D異種統合（3DHI）専用の先進的なパッケージングプラントへと生まれ変わります。これは、シリコンと非シリコンの異なる材料で作られたチップを積み重ねる技術です。この新しいファブは、DARPA（防衛高等研究計画局）の最新技術の基盤となり、約14億ドルの投資を通じて、先端技術の進展を促進することが期待されています。DARPAのマネージングディレクターであるマイケル・ホームズ氏は、この新しいファウンドリがどのように機能するかについて説明しました。3DHIの導入により、異なる製造プロセスを組み合わせて、より高度で効率的な電子デバイスの開発が可能になるとされています。